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Si1058X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
10
1
0.20
0.16
I D = 1.3 A
0.1
0.01
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.12
0.0 8
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.001
0.04
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1
0
1
2
3
4
5
1.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
5.0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
R DS(on) vs. V GS vs. Temperature
4.0
1.3
I D = 250 μ A
3.0
1.0
2.0
0.7
1.0
0.4
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Limited b y R DS(on) *
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
10 ms
100 ms
0.1
1s
10 s
0.01
T A = 25 °C
DC
0.001
0.1
Single P u lse
B V DSS Limited
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73894
S12-1618-Rev. E, 09-Jul-12
For technical question, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
4
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